На полную катушку

Английская компания QPT разработала импульсные преобразователи напряжения, в которых транзисторы на основе нитрида галлия показывают свои максимальные возможности, работая с частотой до 20 МГц.

Компания отмечает, что существующие драйверы для затвора ограничены скоростью нарастания сигнала в 200 В/нс, а для управления GaN-транзистором на мегагерцовых частотах необходимо 550 В/нс. Разработчики из QPT, имеющие опыт проектирования СВЧ-электроники, были вынуждены спроектировать специальную микросхему qDrive для сверхбыстрого прецизионного по времени управления. А поскольку все ранее существовавшие технические решения давали неприемлемые уровни наводок на управляющие схемы, инженерам пришлось создать специальный развязывающий трансформатор ZEST (на верхнем рисунке). Компания также заявила о применении революционной схемы цифровой модуляции, работающей в контуре обратной связи преобразователя.

Кремниевые и карбид-кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором имеют внутри структуры паразитный диод, который входит в насыщение, после чего заряд в нём долго рассасывается, замедляя работу схемы. Транзисторы на нитриде галлия такого диода не содержат.