Костыль для SIC-транзистора

Компания Toshiba встроила диоды Шоттки (SBD) в свои новые транзисторы на карбиде кремния. Электронные приборы класса 1,2 кВ имеют шахматную структуру кристалла, в которой диоды чередуются с транзисторными элементами.

При обратной полярности напряжения между истоком и стоком диоды Шоттки предотвращают включение паразитных диодов, которое вызывает насыщение структуры полупроводника носителями и задерживает переключение транзистора. Кстати, японцы ухитрились оптимизировать топологию так, что сопротивление открытого канала только снизилось.