В японском Национальном институте материаловедения создан алмазный МОП-транзистор с n-каналом. Из-за трудностей с легированием алмаза до недавних пор учёным удавалось на нём получать МОП-транзисторы только с p-каналом, однако для построения быстрых КМОП-схем необходимы приборы обоих видов.

Японцы нашли способ легировать кристалл фосфором для получения электронной проводимости и подобрали подходящую топологию для КМОП-схем. Подробности смотрите, щёлкнув здесь. Транзисторы проверены в работе в диапазоне температур от 27 до 300 °C, в котором ток стока менялся на четыре порядка. При высоких температурах получена отличная мобильность зарядов.

Применение алмазов перспективно в космосе (материал способен выдерживать высокие температуры и радиацию), в сильноточной электронике и других сферах, где приборы должны работать в жёстких условиях.