Всем встать!

Компании IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в кремниевых технологиях - совместной разработке полевого транзистора с вертикальным каналом Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET). Новинка позволит сократить энергопотребление микропроцессоров на величину до 85% в сравнении с нынешними микросхемами на полевых транзисторах finFET, у которых канал расположен горизонтально. Число транзисторов на кристалле увеличится без изменения технологических норм.