Вакуумный транзистор

Команда учёных из Массачусетского технологического института (MIT) создала силовой кремниевый вакуумный транзистор (Строго говоря, это триод, а не транзистор. Полупроводниковые свойства кремния в нём не используются. - Прим. ред.), способный работать при напряжении порядка 40 кВ, причём на высоких частотах.

В качестве источника электронов используется катодная решётка с шагом 1 мкм, которая излучает отрицательно заряженные частицы с помощью туннельного эффекта. Под крышкой транзистора создаётся вакуум. Пролетев через вакуум около миллиметра, электроны попадают в металлический анод.

Катодная решётка, формируемая на кремниевой пластине, представляет собой матрицу кремниевых столбиков с тонкими кончиками, на которых возникает туннельный эффект. Кончики находятся в отверстиях металлического слоя, по функции напоминающего управляющую сетку электронной лампы. Столбики окружены вертикальными структурами из нитрида кремния, а вся решётка помещена в толстый изолирующий оксидный слой.