Сверхширокозонный полупроводник

Нитрид алюминия - керамический материал, широко используемый в производстве теплопроводящих подложек для электронных компонентов, то есть в качестве изолятора, может найти применение и как полупроводник.

Команда исследователей из Технологического института Джорджии (США) под руководством профессора компьютерной техники Алана Дулитла отрабатывает технологию превращения нитрида алюминия в полупроводник со сверхширокой запрещённой зоной. Электронные приборы на его основе обещают обеспечить в пять раз большие рабочие напряжения, чем у приборов на карбиде кремния, и смогут работать при повышенных температурах и мощностях.

При легировании материала бериллием для придания ему p-проводимости учёные сократили его сопротивление электрическому току в тридцать миллионов раз. Получили ширину запрещённой зоны в 6,1 электрон-вольта. На сапфировой подложке были сформированы различные структуры из AlN, в том числе диоды, свойства которых изучаются.

Новый материал скорее всего позволит изготавливать мощные светодиоды, работающие в дальнем ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 203 нм, которые найдут применение в лампах для обеззараживания помещений, а также в установках для фотолитографии и обработки полимеров. Один силовой транзистор на нитриде алюминия заменит несколько карбидокремниевых транзисторов.