Двухкиловольтный транзистор

Рисунок: Infineon Technologies

Полупроводниковая компания Infineon Technologies представила силовой транзистор CoolSiC второго поколения на карбиде кремния с высоким напряжением пробоя в 2 кВ. Новинка предназначается для построения инверторов солнечных электростанций, импульсных силовых трансформаторов и других преобразователей напряжения. По сравнению с двухкиловольтными транзисторами первого поколения, выпущенными в 2022 году, новые обладают сниженными потерями переключения и повышенной надёжностью.

Применять высоковольтные силовые приборы выгодно, поскольку они позволяют коммутировать большую мощность, не увеличивая рабочий ток. (Читай: устройства становятся компактнее и легче.) Кроме того, в преобразователях, работающих с напряжениями среднего класса, сокращается число последовательно соединяемых каскадов.

Новый электронный прибор снабжён защитным диодом и имеет пороговое напряжение 4,5 В. Компания также планирует выпустить карбидкремниевые силовые диоды.