Просто GaN

Быстрый ключ, адаптированный к кремниевой импульсной схемотехнике
02.08.2023
Энерговектор

Компания Cambridge GaN Devices из Массачусетса разработала электронные силовые ключи ICeGaN на основе нитрида галлия, которыми можно управлять точно так же, как старыми добрыми кремниевыми МОП-транзисторами. Для этого в ключ встроен специальный преобразователь, питаемый напряжением 9-20 В относительно истока.

Необходимости подавать отрицательное запирающее напряжение в ICeGaN нет, так что схемы управления прибором упрощаются. Порог включения равен 3 В. Также нет необходимости предохранять затвор от напряжений выше 7 В, при которых GaN-транзисторы обычно быстро деградируют. Максимальное напряжение на управляющем входе +20 В.

Разработчик также предусмотрел токовый датчик, что позволяет построить надёжные системы защиты импульсных преобразователей.

Источник: Cambridge GaN Devices

Читайте другие наши материалы