Не так горячо

Двусторонние тонкоплёночные элементы CIGS
27.01.2023
Энерговектор

В швейцарском НИИ материаловедения (EMPA) создана технология для производства двусторонних тонкоплёночных солнечных ячеек на основе селенида меди-индия-галлия (CIGS).

Двусторонние кристаллические кремниевые модули уже выпускаются серийно, а с тонкоплёночными до сих пор были всяческие сложности. В случае CIGS это проблема взаимодействия полупроводника с материалом прозрачного контакта, находящегося с тыльной стороны элемента. Прозрачный контакт изготавливается из проводящих оксидов металлов (индия, олова и цинка), а тонкоплёночный полупроводник получается при высокотемпературном (550 °C) осаждении. В ходе этого процесса галлий в составе полупроводника начинает взаимодействовать с кислородом из оксида, в свою очередь образуя непрозрачный оксид.

Учёные в EMPA вышли из положения, разработав низкотемпературный процесс осаждения селенида меди-индия-галлия, проходящий при 353 °C. Теперь оксид галлия в пограничном слое не образуется. Полученный элемент продемонстрировал эффективность 19,8% при фронтальном освещении и 10,9% при тыльном. Учёные хотели бы довести общую эффективность элемента до 33%.

Источник: EMPA

Читайте другие наши материалы